资讯信息-伯东企业（上海）有限公司

某光学器件制造商采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 20ibe-j 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰薄膜的表面光洁度. hakuto 离子蚀刻机 20ibe-j 技术参数 φ4 inch x 12片基片尺寸 φ4 inch x 12片 φ5 inch x 10片 φ6 inch x 8

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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层

某芯片设计机构研究部门采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 7.5ibe 用于芯片去层. hakuto 离子蚀刻机 7.5ibe 技术规格: 真空腔 1 set, 主体不锈钢,水冷基片尺寸灯丝无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（passiv

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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE 去除印刷电路板污染物

某印刷电路板制造商采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 20ibe-j 应用于刻蚀印刷电路板局部表面去除污染物. hakuto 离子蚀刻机 20ibe-j 技术参数 φ4 inch x 12片基片尺寸 φ4 inch x 12片 φ5 inch x 10片 φ6 inch x 8片均匀性

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Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉晶体电学特性研究

某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉晶体进行蚀刻, 并研究碲镉晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数: portant;"> 基板尺寸 portant;"> 试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉晶体, 发现 180μm 的 p

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考夫曼射频离子源FRICP380辅助溅射镀制 Al2O3薄膜

氧化物薄膜具有---的机械、光学性能以及---的环境稳定性, 被广泛应用于可见近红外波段制备各种低损耗光学薄膜. 某国内精密光学薄膜制造商为了获得品质---的al2o3 薄膜, 采用考夫曼射频离子源 fricp380 和考夫曼离子源 kdc100 辅助溅射镀制 al2o3 薄膜. 射频离子源 rficp380 技术参数:

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考夫曼-离子源RFCIP220辅助溅射制备GDF3光学薄膜

gdf3光学薄膜拥有优异的光学性能, 在深紫外光学薄膜中有广泛应用, 以193nm投影光刻为例, 其系统有30~40个光学元件, 且部分元件口径--- 400mm,为了使系统高质量成像, 不仅要求制备的薄膜具有---的透过率和---的抗激光损伤能力, 而且为了膜厚均匀性控制提出了---的要求. 因此某光学薄膜制造商采用kri 考夫曼射频离子源 f

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KRI RFICP325 离子源已成功应用在塑料光学镜头应用

国内光学镜头制造商使用 KRI 射频离子源 RFICP325 成功镀膜于塑料基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试（80C/80%湿度、85C/95%湿度）. 多数的光学镜头制造公司极力转型于塑料基材的光学镜头组件以争取智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头等等...广大的市场.但都面对了在镀膜时制程问题, 例如:脱膜

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考夫曼射频离子源RFICP380用于铝表面溅射沉积ZrN薄膜

河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 zrn 薄膜色度的影响, 采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp380 辅助在铝表面溅射沉积zrn 薄膜 kri 离子源的---功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kr

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考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜

某微电子制造商采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 溅射沉积硅片金属薄膜. kri 射频离子源 rficp 220 磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜最常用的工艺之一, 然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时, 往往会发现调用同一个工艺菜单, 制备出的铝膜厚度会有所不同, 相差接近40%.

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考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置

某 oem 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp380 作为溅射源. 该复合磁控溅射沉积装置主要包含： 1. 溅射源-kri 考夫曼射频离子源 rficp380 2. 清洗源-kri 霍尔离子源 eh3000 3. 高功率脉冲磁控溅射电源

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