资讯信息-伯东企业（上海）有限公司

在 dc/dc 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节. 某大型工厂在生产过程中采用 kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp220 辅助 dc/dc 混合电路生产, 其主要目的是： 1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污

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考夫曼射频离子源RFICP380在磁控溅射玻璃镀膜中的应用

使用平面磁控溅射阴极进行反应性溅射时的”靶中毒”和”阳极消失”, 这两问题一直是玻璃镀膜行业的难题. 某国内玻璃制造商采用 kri 考夫曼平行型射频离子源 rficp380 离子清洗技术清除沉积在靶面和阳极表面的反应产物, 如氧化物, 从而保持靶和阳极表面导电性, 避免发生”靶中毒”和”阳极消失”现象. 伯东 kri 射

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伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP220辅助 LED 封装

在 led（发光二极管）封装工艺工程中, 器件表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品的---性, 影响产品的质量. 某 led制造商为了---有效清洗 led 器件表面的氧化物及颗粒污染物, 采用伯东伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp220 在led 封装前进行离子清洗. 伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp220 技术参数:

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伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP140辅助镀制OSR膜层

某光学薄膜制造商为了提高光学太阳反射镜osr的膜层附着力, 采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp140 在镀膜前清洗光学太阳反射镜osr. 伯东 kri考夫曼射频离子源 rficp140 技术参数: 型号 rficp 140 discharge rficp 射频离子束流 600 ma

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伯东考夫曼射频离子源RFICP220用于修正 CGH基底

计算全息图 cgh 作为零位补偿器广泛应用于---非球面的检测, 但 cgh 的基底误差直接了非球面的检测精度. 某制造商为了获得超---的 cgh 基底, 采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp220 产生的离子束用于修正--- cgh 基底的加工工艺. 伯东 kri 射频离子源 rficp 220 技术参数: 离子源型号

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伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP140 用于清洗继电器

电子元器件-继电器在生产过程中由于手印、焊剂、交叉污染、自然氧化等, 其表面会形成各种玷污, 影响电子元器件在生产过程中的相关工艺质量, 例如继电器的接触电阻, 从而降低了电子元器件的---性和成品合格率. 某制造商为了提高电子元器件-继电器的---性和成品合格率, 采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp140 对继电器进

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考夫射频离子源RFICP380辅助溅射沉积制备锂硫电池正极片

某锂硫电池制造商采用伯东kri 考夫曼射频离子源 rficp380 辅助溅射沉积制备锂硫电池正极片. 工艺流程: 该正极片的制备在离子束溅射室内进行, 将铝箔作为基片, 将定量的块体硫和块体碳作为靶材. 在开始工艺前, 需要将离子束溅射室抽真空后, 然后利用kri 射频离子源 rficp380 将通入的氩气离化

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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于铁电薄膜研究

hakuto 离子蚀刻机 10ibe 运用于铁电薄膜研究某研究所在 pzt 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 hakuto 离子蚀刻机 10ibe. hakuto 离子蚀刻机 10ibe 技术参数: 基板尺寸 < ф8 x 1wfr 样品台直接冷却（水冷）0-90 度旋转离子源 16c

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Hakuto离子蚀刻机 20IBE-C用于蚀刻 KDP 晶体

某厂商研发部门采用伯东 hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 用于蚀刻 kdp 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削（spdt）后 kdp 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 技术参数如下: 离子蚀刻机 ф4 inch x 6片基板尺寸 < ф3 inch x 8片

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Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100用于蚀刻覆铜板

某印制板线路板生产工厂采用伯东 hakuto 全自动离子刻蚀机 mel3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. hakuto 全自动离子刻蚀机 mel3100 技术参数: model mel3100 wafer size 3"～6" wafer per 1 wafer

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