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沈阳某大学课题组采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 znni 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响. 采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 磁控溅射沉积的 znni 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好. 伯东 kr

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考夫曼射频离子源RFICP140溅射沉积半导体 IGZO薄膜

河北某大学实验室在研究 igzo 薄膜的特性试验中采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rficp140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 igzo 薄膜. 试验采用射频（rf）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 ingazno4（igzo）薄膜, 并对薄

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考夫曼射频离子源RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜

某半导体厂商为了提高红外器件 zns 薄膜厚度均匀性, 采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 zns 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或---圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布. kri 射频离子源 rficp380 技术参数: 射频离子源型号

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KRI考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜

钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多. 上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率.

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考夫曼射频离子源RFICP380成功用于多靶磁控溅射镀膜机

某 oem 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 kri 考夫曼射频离子源 rficp380, 清洗源采用 kri 霍尔离子源 gridless eh 3000, 真空腔体搭配的是伯东 pfeiffer 涡轮分子泵 hipace 2300. kri 射频离子源 rficp380 技术参数:

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KRI考夫曼射频离子源RFICP220溅射沉积 MoN 薄膜

mon薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此，广州某研究机构采用kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 在 304 不锈钢基体表面溅射沉积 mon薄膜, 系统研究了 mon 薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为. 伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数: 离子源型号 rf

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美国霍尔离子源 EH 3000用于蒸镀天文望远镜镜片全反射膜

上海伯东代理美---夫曼博士创立的考夫曼公司 kri 大尺寸霍尔离子源 eh 3000 hc成功应用于直径 2.2m 蒸镀机, 用于蒸镀 1.5m 天文望远镜镜片. 客户项目使用图: 美国 kri 霍尔离子源 eh 3000 hc 主要技术参数: portant;"> portant;"> 尺寸: 直径= 9.7“ 高=

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KRI 射频离子源成功用于辅助制备 MoS2 自润滑涂层

与液体润滑剂相比, 固体润滑剂-, 并且可在特殊场合和无油、真空等环境使用, 得到越来越多的应用. 常用的固体润滑剂mos2涂层蒸气气压低、迁移性弱, 作为固体润滑剂的航空航天领域. 真空环境中得到广泛的应用, 在2000℃真空环境中依然具有很低的摩擦因数. 随着科技发展, 离子源技术引入物---相沉积技术, 用于工模具

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kri 离子源辅助蒸发沉积镀铝膜、改变铝膜结构及耐腐蚀性

铝膜具有电位低, 在基体上附着性好、经济实惠, 同时铝膜与铝合金构建连接的紧固件表面, 防止发生电偶腐蚀破坏铝合金结构件. 除此之外, 铝做到耐腐蚀防护膜层时, 无氢脆现象, 不会影响基体的本身性能, 并解决了与钛合金连接件接触的电偶腐蚀等优点, 是优良的腐蚀防护材料. 因此, 铝膜在蒸发沉积镀膜中广泛使用。蒸镀是在真空状态下, 将镀料加热蒸发或

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